Transistor de potencia IGBT

CÓDIGO	SEMIX703GB126HD
FABRICANTE	SEMIKRON
CONFIGURACIÓN IGBT	Doble
POLARIDAD DEL TRANSISTOR	Canal doble N
CORRIENTE DEL COLECTOR DE CC	650 A
VOLTAJE DE SATURACIÓN DEL EMISOR DEL COLECTOR VCE (ENCENDIDO)	1,2 kV
COLECTOR EMISOR VOLTAJE	1,2 Kv
TEMPERATURA DE UNION	125°C
ESTILO DE CAJA DE TRANSISTORES	Modulo
TERMINACIÓN IGBT	Semental
NO. DE PINES	11 pines
TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO MAX	125°C

Ancho: N/A

Alto: N/A

Profundo: N/A

Peso: N/A

Términos de entrega: N/A